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在2029至2031年,海力还有定制款的布远HBM4E。在NAND方面,景产从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,下面我们一起来看看他们的线路图。也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。并不是GDDR8,目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps,

在2026至2028年,还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。MRDIMM Gen2、12层和16层堆叠的HBM4E,而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,
这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD,提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,SK海力士计划推出16层堆叠的HBM 4以及8层、线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。NAND方面,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,
DRAM市场方面,面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、他们公布的产品线路图涵盖了HBM、
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